NUS5531MTR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-WDFN（3x3）
数量：: 2682
说明：: MOSFET 12V PFET W 20V PNP

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NUS5531MTR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：17.5 ns
功率耗散：1460 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：13 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5.9 S
下降时间：17.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：WDFN-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mOhms
漏极连续电流：5.47 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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