NUS5531MTR2G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-WDFN(3x3)
数量:
 2682  
说明:
 MOSFET 12V PFET W 20V PNP
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NUS5531MTR2G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:80 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:17.5 ns
功率耗散:1460 mW
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:13 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.9 S
下降时间:17.5 ns
包装形式:Reel
封装形式:WDFN-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):32 mOhms
漏极连续电流:5.47 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NUS5531MTR2G的详细信息,包括NUS5531MTR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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