NTVD20N03L27T4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 DPAK
数量:
 7983  
说明:
 MOSFET NFET 30V 0.27R TR
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NTVD20N03L27T4G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:38 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:137 ns
功率耗散:74 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :21 S
下降时间:31 ns
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):31 m Ohms
漏极连续电流:20 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTVD20N03L27T4G的详细信息,包括NTVD20N03L27T4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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