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中文参数如下:
功率耗散:1.6 W, 3.1 W, 10 W, 19 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:8.4 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8 s
包装形式:Reel
封装形式:WDFN-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):24 mOhms
漏极连续电流:20 A
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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