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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:30 ns, 40 ns
工厂包装数量:4000
上升时间:40 ns, 20 ns
功率耗散:0.78 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:3.2 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3.1 S
下降时间:40 ns, 20 ns
包装形式:Reel
封装形式:Micro-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.085 Ohms
漏极连续电流:- 2.48 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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