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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:20.8 ns
上升时间:20.6 ns
功率耗散:2.21 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:28 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :35 S
下降时间:3.9 ns
包装形式:Reel
封装形式:WDFN-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):8 mOhms at 52 A, 4.5 V
漏极连续电流:14.3 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
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