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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:17.7 ns
上升时间:21 ns
功率耗散:2.17 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:9.2 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :29.3 S
下降时间:2.96 ns
包装形式:Reel
封装形式:WDFN-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):11 mOhms
漏极连续电流:41 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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