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NTMSD3P303R2

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 6921
说明：: MOSFET -30V -3.05A

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NTMSD3P303R2 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns, 45 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：42 ns, 16 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降时间：16 ns, 45 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.085 Ohms
漏极连续电流：- 3.05 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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