NTMFS4H02NFT1G

厂家：: onsemi
封装：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
数量：: 3267
说明：: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2652 pF @ 12 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40.9 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 毫欧 @ 30A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Ta），193A（Tc）
漏源电压（Vdss）：25 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

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