NTMFS5830NLT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-PowerTDFN，5 引线
数量：: 6237
说明：: MOSFET SO8FL 40V

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NTMFS5830NLT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SO-8 FL
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.6 mOhms
漏极连续电流：28 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMFS5830NLT1G的详细信息，包括NTMFS5830NLT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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