NTJD4158CT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-88/SC70-6/SOT-363
数量：: 5562
说明：: MOSFET PFET 20V .88A 1OHM

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NTJD4158CT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：56 nS, 13.5 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：66 nS, 6.5 nS
功率耗散：270 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.9 nC, 2.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.08 S, 3 S
下降时间：78 nS, 3.5 nS
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1 Ohm at 4.5 V, 215 mOhms at - 4.5 V
漏极连续电流：250 mA, - 880 mA
闸/源击穿电压：+/- 20 V, +/- 12 V
汲极/源极击穿电压：30 V, - 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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