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NTJD5121NT2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-88/SC70-6/SOT-363
数量：: 14012
说明：: MOSFET NFET SC88D 60V 295mA

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NTJD5121NT2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：34 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：34 ns
功率耗散：0.25 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：80 S
下降时间：32 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.6 Ohms
漏极连续电流：0.295 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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