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NTHD4502NT1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 ChipFET?
数量：
 4923  
说明：
 MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
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NTHD4502NT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9.6 ns, 14.9 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12.6 ns, 5.4 ns
功率耗散：1.13 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：3.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：3.8 S
下降时间：12.6 ns, 5.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：ChipFET-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.2 Ohms
漏极连续电流：2.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHD4502NT1G的详细信息，包括NTHD4502NT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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