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NTHD4P02FT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SMD，扁平引线
数量：: 7995
说明：: MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky

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NTHD4P02FT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：13 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：ChipFET-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.2 Ohms
漏极连续电流：- 3 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHD4P02FT1G的详细信息，包括NTHD4P02FT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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