NSS40302PDR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 3412
说明：: 两极晶体管 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

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中文参数如下：
认证机构：
封装封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：100MHz
功率 - 最大值：653mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：180 @ 1A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：115mV @ 200mA，2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3A
晶体管类型：NPN，PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

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