NSS40400CF8T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 1206A
数量：: 1116
说明：: 两极晶体管 - BJT 4A 40V Low VCEsat

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NSS40400CF8T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：650 mW
集电极连续电流：- 4 A
封装形式：1206A
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100 at 1 A at 1.5 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—射极饱和电压：- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V
集电极—基极电压 VCBO：- 60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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