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NSS60600MZ4T3G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SOT-223（TO-261）
数量：
 5034  
说明：
 两极晶体管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
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NSS60600MZ4T3G-SOT-223（TO-261）图片

NSS60600MZ4T3G PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：100MHz
功率 - 最大值：800 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 600mA，6A
电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

以上是NSS60600MZ4T3G的详细信息，包括NSS60600MZ4T3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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