NSS40200UW6T1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 6-WDFN(2x2)
数量:
 3267  
说明:
 两极晶体管 - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
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NSS40200UW6T1G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:140MHz
功率 - 最大值:875 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 1A,2V
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 20mA,2A
电压 - 集射极击穿(最大值):40 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
晶体管类型:PNP
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

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