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NSS40200UW6T1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 6-WDFN（2x2）
数量：
 3267  
说明：
 两极晶体管 - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
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NSS40200UW6T1G-6-WDFN（2x2）图片

NSS40200UW6T1G PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：140MHz
功率 - 最大值：875 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 1A，2V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 20mA，2A
电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A
晶体管类型：PNP
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

以上是NSS40200UW6T1G的详细信息，包括NSS40200UW6T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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