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NGD18N40ACLBT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-252，（D-Pak）
数量：
 18  
说明：
 IGBT 晶体管
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NGD18N40ACLBT4G-TO-252，（D-Pak）图片

NGD18N40ACLBT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：115 W
在25 C的连续集电极电流：15 A
栅极/发射极最大电压：18 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：430 V
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NGD18N40ACLBT4G的详细信息，包括NGD18N40ACLBT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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