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中文参数如下:
工厂包装数量:2500
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-252-3
最大工作温度:+ 175 C
功率耗散:115 W
栅极—射极漏泄电流:640 uA
在25 C的连续集电极电流:50 A
栅极/发射极最大电压:18 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:ON Semiconductor
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