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NGD18N40CLBT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-252，（D-Pak）
数量：
 8514  
说明：
 IGBT 晶体管 18A 400V Ignition N-Channel
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NGD18N40CLBT4G-TO-252，（D-Pak）图片

NGD18N40CLBT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-252-3
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：115 W
栅极—射极漏泄电流：640 uA
在25 C的连续集电极电流：50 A
栅极/发射极最大电压：18 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：ON Semiconductor

以上是NGD18N40CLBT4G的详细信息，包括NGD18N40CLBT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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