NGD8201ANT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-252，（D-Pak）
数量：: 666
说明：: IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT

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NGD8201ANT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
最大工作温度：+ 175 C
功率耗散：125 W
栅极—射极漏泄电流：300 uA
在25 C的连续集电极电流：20 A
栅极/发射极最大电压：15 V
集电极—射极饱和电压：1.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：440 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：ON Semiconductor

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