NGD8201ANT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252,(D-Pak)
数量:
 666  
说明:
 IGBT 晶体管 NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
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NGD8201ANT4G PDF参数资料

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中文参数如下:

安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:DPAK
最大工作温度:+ 175 C
功率耗散:125 W
栅极—射极漏泄电流:300 uA
在25 C的连续集电极电流:20 A
栅极/发射极最大电压:15 V
集电极—射极饱和电压:1.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:440 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:ON Semiconductor

以上是NGD8201ANT4G的详细信息,包括NGD8201ANT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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