首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 射频半导体 > 晶体管射频 > 射频双极小信号晶体管 > NE856M03-T1-A

NE856M03-T1-A

厂家：
  CEL
封装：
 M03
数量：
 6921  
说明：
 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

NE856M03-T1-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
安装风格：SMD/SMT
包装形式：Reel
封装形式：M03
直流集电极/Base Gain hfe Min：145
功率耗散：125 mW
集电极连续电流：0.1 A
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：CEL

以上是NE856M03-T1-A的详细信息，包括NE856M03-T1-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管射频产品：

射频MOSFET电源晶体管   射频硅锗晶体管   射频JFET晶体管   射频双极电源晶体管   射频MOSFET小信号晶体管  

最新产品：

  • BSP149H6906XTSA1
  • ADUM142E0BRWZ-RL
  • STGWT60V60DF
  • 35215K6FT
  • MAX4376FAUK+TG103
  • VJ0805Y333KXAAC
  • A3P125-TQ144
  • LTC2688IUJ-16#TRPBF
  • DSC613RE1A-017QT
  • USB5534B-5000JZXTR

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      NE856M13

      射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

    • 暂无电子元件图

      NE856M13-A

      射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

    • 暂无电子元件图

      NE856M13-T3

      射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

    • 暂无电子元件图

      NE856M13-T3-A

      射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor

    • 暂无电子元件图

      NE894M03

      射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc

    • 暂无电子元件图

      NE894M13

      射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc

    • NE894M13-A图片

      NE894M13-A

      射频双极小信号晶体管 NPN Low Volt Osc

    • NE8FAH图片

      NE8FAH

      以太网和电信连接器 HORIZON PCB RECEPT ALL PLASTIC

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC