NE850R599A

厂家：: CEL
封装：: Outline99
数量：: 4572
说明：: 射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET

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NE850R599A PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Bulk
P1dB：26.5 dBm
封装形式：Outline99
安装风格：Screw
功率耗散：3 W
最大工作温度：+ 130 C
漏极连续电流：430 mA
闸/源击穿电压：- 12 V
漏源电压 VDS：15 V
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：150 mS
增益：9.5 dB
频率：7.2 GHz
技术类型：MESFET
RoHS：否
产品种类：射频GaAs晶体管
制造商：CEL

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