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NE552R479A

厂家：
  CEL
封装：
 79A
数量：
 3672  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管
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NE552R479A PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：100 mW
安装风格：SMD/SMT
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.4 S
封装形式：79A
最大工作温度：+ 125 C
闸/源击穿电压：2 V
漏极连续电流：230 mA
汲极/源极击穿电压：18 V
输出功率：26 dBm
增益：11 dB
频率：2.45 GHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：否
制造商：CEL

以上是NE552R479A的详细信息，包括NE552R479A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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