NE5511279A

厂家:
  NEC/CEL
封装:
 79A
数量:
 3618  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 RO 551-NE5511279A-A
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NE5511279A PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
功率耗散:20 W
安装风格:SMD/SMT
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.0023 S
封装形式:79A
最大工作温度:+ 125 C
闸/源击穿电压:6 V
漏极连续电流:3 A
汲极/源极击穿电压:20 V
输出功率:40 dBm
增益:15 dB
频率:900 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:否
制造商:NEC

以上是NE5511279A的详细信息,包括NE5511279A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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