首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NE3210S01-A

NE3210S01-A

厂家：
  NEC/CEL
封装：
 SO-1
数量：
 3222  
说明：
 MOSFET Super Lo Noise HJFET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

NE3210S01-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

功率耗散：165 mW
封装形式：SO-1
安装风格：SMD/SMT
漏极连续电流：10 mA
闸/源击穿电压：- 3 V
汲极/源极击穿电压：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE3210S01-A的详细信息，包括NE3210S01-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)
  • SIR616DP-T1-GE3
  • IPD35N12S3L24ATMA1
  • RQ3L090GNTB
  • BSZ067N06LS3GATMA1
  • BSC066N06NSATMA1
  • IPP80N06S208AKSA2
  • STU9N60M2
  • TSM150P03PQ33 RGG

    • 相近型号推荐

    • NE325S01图片

      NE325S01

      射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET

    • 暂无电子元件图

      NE334S01

      射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC