首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NDS9958

NDS9958

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 2160  
说明：
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NDS9958-8-SOIC图片

NDS9958 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns, 26 ns
上升时间：12 ns, 17 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns, 13 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS9958的详细信息，包括NDS9958厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • BSZ067N06LS3GATMA1
  • BSC066N06NSATMA1
  • IPP80N06S208AKSA2
  • STU9N60M2
  • TSM150P03PQ33 RGG
  • STD9N60M2
  • SQJA20EP-T1_BE3
  • IRFR010PBF-BE3
  • TJ90S04M3L,LXHQ
  • RD3P175SNFRATL

    • 相近型号推荐

    • NDS9959图片

      NDS9959

      MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

    • NDT014图片

      NDT014

      MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

    • NDT014L图片

      NDT014L

      MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC