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NDS9959

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 2178  
说明：
 MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
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NDS9959-8-SOIC图片

NDS9959 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：NDS9959_NL
典型关闭延迟时间：9 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：2.7 S
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
漏极连续电流：+/- 2 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS9959的详细信息，包括NDS9959厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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