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NDC652P_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SSOT-6
数量：
 1494  
说明：
 MOSFET SO-6 P-CH LOGIC
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NDC652P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
上升时间：26 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：26 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：- 2.4 A
闸/源击穿电压：- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDC652P_Q的详细信息，包括NDC652P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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