NDC651N_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SSOT-6
数量:
 1476  
说明:
 MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDC651N_Q PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:15 ns
上升时间:19 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:19 ns
包装形式:Reel
封装形式:SSOT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Triple Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms
漏极连续电流:3.2 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDC651N_Q的详细信息,包括NDC651N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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