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NDC651N_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SSOT-6
数量：
 1476  
说明：
 MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDC651N_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15 ns
上升时间：19 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：19 ns
包装形式：Reel
封装形式：SSOT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.09 Ohms
漏极连续电流：3.2 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDC651N_Q的详细信息，包括NDC651N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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