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中文参数如下:
安装风格:SMD/SMT
包装形式:Reel
封装形式:NI-1230S
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:10 V
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:320 W at Peak
增益:13.3 dB at 2.9 GHz
频率:2.7 GHz to 2.9 GHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:Freescale Semiconductor
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