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中文参数如下：
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tray
封装形式：SOIC-8
最大工作温度：+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：5
功率耗散：1 W
集电极连续电流：400 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：3.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
最大工作频率：200 MHz
晶体管极性：NPN
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.
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