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MRF141

厂家：
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装：
 Case 211-11
数量：
 8061  
说明：
 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
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MRF141-Case 211-11图片

MRF141 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：300 W
安装风格：Screw
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tray
封装形式：Case 211-11
最大工作温度：+ 200 C
闸/源击穿电压：40 V
漏极连续电流：16 A
汲极/源极击穿电压：65 V
频率：175 MHz
晶体管极性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是MRF141的详细信息，包括MRF141厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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