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MMDF2P02HDR2G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 4590  
说明：
 MOSFET PFET SO8D 20V 3.3A 160mOhm
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MMDF2P02HDR2G-8-SOIC图片

MMDF2P02HDR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns, 25 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：21 ns, 66 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：3 S
下降时间：36 ns, 37 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
漏极连续电流：3.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MMDF2P02HDR2G的详细信息，包括MMDF2P02HDR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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