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MMDF3N04HDR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 4653
说明：: MOSFET NFET SO8D 40V 3.4A 80mOhm

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MMDF3N04HDR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns, 15 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：77 ns, 15 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.5 S
下降时间：20 ns, 19 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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