MJD29CITU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: IPAK
数量：: 5877
说明：: 两极晶体管 - BJT

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MJD29CITU PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Rail
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：1560 mW
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 0.2 A at 4 V
增益带宽产品fT：3 MHz
最大直流电集电极电流：1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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