MJD3055G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 4554
说明：: 两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

一、本商品被浏览0次.

MJD3055G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：2MHz
功率 - 最大值：1.75 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 4A，4V
电流 - 集电极截止（最大值）：50μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：8V @ 3.3A，10A
电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是MJD3055G的详细信息，包括MJD3055G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：