MJD29TF

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 DPAK
数量:
 5886  
说明:
 两极晶体管 - BJT
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

MJD29TF PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Reel
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:1560 mW
封装形式:DPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 0.2 A at 4 V
增益带宽产品fT:3 MHz
最大直流电集电极电流:1 A
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是MJD29TF的详细信息,包括MJD29TF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • MJD3055图片

    MJD3055

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

  • MJD3055G图片

    MJD3055G

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 20W NPN

  • MJD3055T4图片

    MJD3055T4

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch

  • MJD31C图片

    MJD31C

    两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur Switch

  • MJD31C1图片

    MJD31C1

    两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN

  • MJD31C1G图片

    MJD31C1G

    两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC