KSD261CGTA_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 6210  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor
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KSD261CGTA_Q-TO-92图片

KSD261CGTA_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Ammo
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:0.5 W
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 0.1 A at 1 V
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—射极饱和电压:20 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSD261CGTA_Q的详细信息,包括KSD261CGTA_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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