KSD261GTA_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 6237
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

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KSD261GTA_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：0.5 W
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 0.1 A at 1 V
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：20 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
集电极—基极电压 VCBO：40 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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