KSD261CYTA

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92-3
数量：: 8298
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

一、本商品被浏览0次.

KSD261CYTA PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：500 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 100mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：20 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA
晶体管类型：NPN
产品状态：停产
包装：-
系列：带盒（TB）
品牌：onsemi

以上是KSD261CYTA的详细信息，包括KSD261CYTA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：