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IXTU01N100D

厂家：: Ixys
封装：: TO-251AA
数量：: 8046
说明：: MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds

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IXTU01N100D PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：75
上升时间：6 ns
功率耗散：1100 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：6 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251AA-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80000 mOhms
漏极连续电流：0.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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