IXTU1R4N60P

厂家：: Ixys
封装：: TO-251AA
数量：: 8073
说明：: MOSFET 1.4 Amps 600V 9.0 Ohms Rds

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IXTU1R4N60P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：75
上升时间：16 ns
功率耗散：50 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-251
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 Ohms
漏极连续电流：1.4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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