IXTT16N10D2

厂家：: IXYS
封装：: TO-268AA
数量：: 4797
说明：: MOSFET N-CH 100V 16A TO268

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IXTT16N10D2 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：830W（Tc）
FET 功能：耗尽模式
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5700 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：225 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：64 毫欧 @ 8A，0V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：Depletion
系列：管件
品牌：IXYS

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