IXTT16N20D2

厂家：: Ixys
封装：: TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
数量：: 4770
说明：: MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs

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IXTT16N20D2-TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA图片

IXTT16N20D2 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：270 ns
上升时间：130 ns
功率耗散：695 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：208 nC
下降时间：135 ns
封装形式：TO-268
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：73 mOhms
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：IXYS

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