IXTT10P50

厂家：: Ixys
封装：: TO-268AA
数量：: 900
说明：: MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds

一、本商品被浏览0次.

IXTT10P50 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
工厂包装数量：1
上升时间：27 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：35 ns
包装形式：Bulk
封装形式：TO-268
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.9 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 500 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTT10P50的详细信息，包括IXTT10P50厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：