IXTT10N100D

厂家：: Ixys
封装：: TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
数量：: 7821
说明：: MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds

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IXTT10N100D-TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA图片

IXTT10N100D PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：110 ns
工厂包装数量：30
上升时间：85 ns
功率耗散：400 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：75 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-268
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.4 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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