IXTN200N10T

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227B
数量：: 2332
说明：: MOSFET

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IXTN200N10T PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
功率耗散：500 W
最小工作温度：- 55 C
封装形式：SOT-227B
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0054 Ohms
漏极连续电流：200 A
汲极/源极击穿电压：100 V
制造商：IXYS

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