IXTN32P60P

厂家：: Ixys
封装：: SOT-227-4，miniBLOC
数量：: 7624
说明：: MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds

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IXTN32P60P PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：95 ns
工厂包装数量：10
上升时间：27 ns
功率耗散：890 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：196 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：32 S / 21 S
下降时间：33 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOT-227
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：350 mOhms
漏极连续电流：32 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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