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IXTM21N50

厂家：: Ixys
封装：: TO-204AE
数量：: 7515
说明：: MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds

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IXTM21N50 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：65 ns
工厂包装数量：20
上升时间：33 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：21 s
下降时间：30 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-204AE
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.25 Ohms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

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