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IXTH120P065T

厂家：: Ixys
封装：: TO-247（IXTH）
数量：: 6084
说明：: MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds

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IXTH120P065T PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：30
上升时间：28 ns
功率耗散：298 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：58 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：75 S
下降时间：21 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10 mOhms
漏极连续电流：- 120 A
闸/源击穿电压：15 V
汲极/源极击穿电压：- 65 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTH120P065T的详细信息，包括IXTH120P065T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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